该论文的工作主要是采用Cu掺杂替代CeNiSn中的Ni元素的方法,测量其在低温下的比热电阻和光电导等物理量的变化,从而证实随着Cu掺入......

CeNiSn是一种很有趣的重费米子化合物,其基态为Kondo绝缘体.采用化学元素替代的方法研究Cu掺杂对CeNiSn多晶样品低温比热的影响.在......

采用电弧熔炼法和放电等离子体烧结法,制备了稀土掺杂的金属间化合物Zr1-xLaxNiSn（x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4）和Zr0.98R0.02NiSn0......

采用电弧熔炼法和放电等离子体烧结法,制备了稀土掺杂的金属间化合物Zr1-xLaxNiSn（x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4）和Zr0.98R0.02NiSn0......

对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率ｘ（１．８－２０Ｋ），电阻率ρ（３－１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２－３２Ｋ）和低温比热（１．２－３０Ｋ）的测量，经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构，磁化率Ｘ在较高温区（３０－２００Ｋ）遵循Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子......

测量了ＣｅＮｉＳｎ的一系列磁物性，发现在４．５Ｋ下，ＣｅＮｉＳｎ的磁化曲线在３Ｔｅｓｌａ处有拐点，并且发现４Ｔｅｓｌａ磁场可以压抑４００Ｇａｓｓ磁场下测量的磁化率随温度变化曲线在１０Ｋ附近的峰，但磁阻测量......